功率半導(dǎo)體測試儀IGBT靜態(tài)測試設(shè)備
人氣:134 發(fā)布時間:2024-12-03 09:36 關(guān)鍵詞:功率器件測試儀 IGBT測試設(shè)備 功率器件測試設(shè)備 產(chǎn)品型號:PMST-8000V 應(yīng)用領(lǐng)域:電磁輻射 產(chǎn)品價格:1000 |
普賽斯功率半導(dǎo)體測試儀IGBT靜態(tài)測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計測試方法 靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。詳詢18140663476
測試系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。
測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計,測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz。
系統(tǒng)特點
高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);
大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試;
豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);
系統(tǒng)參數(shù)
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
IGBT測試設(shè)備+igbt測試儀測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供
整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。
目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面,我司在3500V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。此外,在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場,普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場景的需求。功率半導(dǎo)體測試儀IGBT靜態(tài)測試設(shè)備就找普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;