表面活性劑廢水的化學處理法的現狀與問題
表面活性劑廢水的混凝處理法混凝法
處理LAS廢水效果理想、成本低、易操作,但降解不徹底,產生大量廢渣與污泥。目前的研究集中在與其他技術的聯合使用和開發出針對陰離子表面活性劑的高效的混凝劑。已報道的有用聚合硫酸鐵作混凝劑,處理低、高濃度的LAS廢水,出水均可達到國家排放標準(對于高濃度的 LAS廢水需后續的中和泡沫分離處理)。組合工藝有微電解-混凝沉淀法,混凝沉淀-水解酸化-接觸氧化法等。
表面活性劑廢水的吸附處理法
常用的吸附劑主要包括活性炭、吸附樹脂、硅藻土、高嶺土等。活性炭在常溫下對LAS廢水處理效果較好,對LAS的吸附容量可達到55·8mg/g。但再生能耗大,且再生后無法完全恢復吸附能力, 因而限制了其應用。天然的粘土礦物類吸附劑貨源充足、價廉,應用較多。為了提高吸附容量和吸附速率,對這類吸附劑研究的重點在于吸附性能、加工條件的改善和表面改性等方面。用硼泥處理表面活性劑廢水, LAS的去除率達94%左右,硼泥再生后對LAS去除率仍可達94%。吸附樹脂處理表面活性劑廢水,其吸附速率快、穩定性好、再生容易,但是預處理較繁瑣,一次性投資大。未來應重點開發價廉的吸附材料,如對工業廢物再利用。以CaO為改性劑的粉煤灰作為吸附劑,對表面活性劑的去除率可達95%以上。
表面活性劑廢水的催化氧化處理法
催化氧化法是對化學氧化法的改進與強化,主要有均相氧化法,光催化氧化法和多相氧化法。 Fenton法屬均相氧化法,目前研究的熱點是將Fen- ton法與其他技術聯合使用,例如混凝-Fenton工藝,超聲-Fenton試劑聯合法。后者在最佳條件下對LAS的去除率可達80%。光催化氧化法是用紫外光照射半導體催化劑,生成強氧化性的·OH 自由基來氧化分解LAS,對LAS的去除率可達 90%以上。該法在處理高濃度LAS模擬廢水存在一個H2O2的最佳投量(0·8 mg/L),過多的 H2O2投量會對LAS的降解有不利影響。目前對催化氧化法的研究熱點是: (1)發展該法與其他技術的聯用,如將Fenton氧化與光催化氧化結合的TiO2-Fenton試劑光氧化法; (2)開發價格低廉性能優越的催化劑。目前已開發出CuO/Ni2O3、 ZnO/Ni2O3、TiO2/活性炭等混合催化劑,對LAS 的去除率可分別達到99·5%、93·8%和80%。多相催化氧化法處理LAS廢水去除率最高可達 88·3%。其中光催化氧化法和多相催化氧化法都可以徹底地將LAS分解為CO2、H2O和SO2-4。
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