合肥固體物理所發明含硅化合物多孔膜合成新方法

更新時間：2007-11-29 09:16 來源：中國科學院合肥物質科學研究院作者: 閱讀：1786

中國科學院合肥物質科學研究院固體物理所的博士研究生楊亞軍在其導師孟國文、張立德研究員的指導下，發明了一種合成含硅化合物多孔膜的新方法——多孔硅膜的原位直接轉化法。他們利用這種原位直接轉化技術，將自制的多孔硅自支撐薄膜分別轉化為氮化硅、碳化硅以及硅酸鋅等多孔薄膜。研究表明，這些含硅化合物的多孔自支撐薄膜，繼承了其母相固體（多孔硅薄膜）的形貌和微結構特征。因此，可以通過控制多孔硅膜制備過程中的腐蝕參數，獲得具有所需形貌和結構的多孔硅薄膜；進而采用這種直接轉化方法，就可獲得比表面積和孔徑可調的含硅化合物的多孔薄膜。該項研究成果在過濾、分離、催化、傳感器等方面有著潛在的應用前景，已申請我國發明專利，其題為Converting Free-standing Porous Silicon into Si-related Porous Membrane的研究論文，已被德國《應用化學》（ANGEWANDTE CHEMIE.）接收發表，在征得論文作者同意的前提下，該刊編輯部將其作為熱點文章（Hot Paper），于11月9日提前發表在該雜志網站的主頁上。

　　該項研究得到了國家杰出青年基金、納米研究重大科學研究計劃和中科院百人計劃的資助